硅膜厚度測(cè)量

實(shí)驗(yàn)光路圖

實(shí)物光路連接圖

實(shí)驗(yàn)背景目的：

各種介質(zhì)、半導(dǎo)體和金屬的薄膜在電子工業(yè)、光學(xué)工業(yè)和化學(xué)工業(yè)等得到了使用。膜層的厚度對(duì)器件或儀器的性能有直接影響。如硅徽型電路的介質(zhì)層的厚度和成分，對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)具有很大的重要性，這些膜層的厚度將決定集成電路器件的性能和可靠性。萊森光學(xué)可提供膜厚測(cè)量服務(wù)，通過無損的光學(xué)測(cè)量方法，基于白光干涉原理，使用光纖光譜儀實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量，以比傳統(tǒng)的方法更精度更高，測(cè)量速度更快地測(cè)量出硅片的膜厚。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果：

實(shí)驗(yàn)使用單晶硅作為白參考，所以以下的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)都是考慮了單晶硅的反射率的。以下計(jì)算薄膜的算法使用的是光譜白光干涉，擬合使用L-M擬合和PS優(yōu)化結(jié)合使用。計(jì)算結(jié)果如下表格：

樣品1-1

樣品1-2

樣品1-3

樣品1-4

樣品1-5

樣品2-1

樣品2-2

樣品2-3

樣品2-4

樣品2-5

樣品3-1

樣品3-2

樣品3-3

樣品3-4

樣品3-5

實(shí)驗(yàn)結(jié)論：